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各有關(guān)單位：

    為深化探索創(chuàng)新攻關(guān)新機制，推進我市EDA領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)突破，上海市科學(xué)技術(shù)委員會（以下簡稱“市科委”）按照揭榜掛帥制方式，針對相關(guān)科研攻關(guān)任務(wù)，凝練懸賞標的，特發(fā)布2021年度上海市EDA領(lǐng)域“揭榜掛帥”項目指南。

    一、征集范圍

    方向一：百億門級別可擴展原型驗證系統(tǒng)及軟件

    面向超大規(guī)模集成電路芯片設(shè)計環(huán)節(jié)對原型驗證平臺的技術(shù)需求，研發(fā)國產(chǎn)百億門級可擴展原型驗證系統(tǒng)，包含自動分片、編譯、運行、調(diào)試及管理的軟件技術(shù)及相應(yīng)的可重用、易重構(gòu)的硬件架構(gòu)。

    1.考核指標：

    實現(xiàn)百億門級別可擴展原型驗證系統(tǒng)軟件及硬件，包含：

    1）自動分片、編譯、運行、調(diào)試及管理的軟件

    （1）實現(xiàn)RTL級及網(wǎng)表級自動分片及導(dǎo)向型分片，支持快速邏輯評估，自動尋找最優(yōu)分片方案并添加時序和管腳約束，自動生成分片后的系統(tǒng)仿真模型并提供全系統(tǒng)靜態(tài)時序分析。

    （2）實現(xiàn)單拍TDM，支持自動插入分片TDM邏輯，自動分析最優(yōu)TDM復(fù)用策略，并支持用戶指定TDM復(fù)用策略。

    （3）支持邏輯裁剪及模塊實例重用，自動識別并重新編譯受影響的分片。

    （4）支持多核調(diào)試。核數(shù)8個及以上，采樣頻率>100MHz，采樣深度不少于32GByte，實現(xiàn)邏輯觸發(fā)和FSM腳本觸發(fā)。

    （5）提供LPDDR4/HBM內(nèi)存模型。

    （6）支持動態(tài)探針，實現(xiàn)設(shè)計的Register/BRAM的全可視功能。提供用戶寄存器訪問調(diào)試通道，提供虛擬IO，虛擬UART，vGDB等調(diào)試接口。

    （7）支持原型驗證系統(tǒng)云端管理及運行控制，全程操作可追溯。

    2）可重用易重構(gòu)的硬件架構(gòu)

    （1）原型驗證系統(tǒng)邏輯規(guī)模達到百億門及以上（≥1500M系統(tǒng)邏輯單元），全系統(tǒng)高速運行時設(shè)計功耗容量達到20KW及以上。

    （2）系統(tǒng)組網(wǎng)拓撲靈活，支持100顆邏輯芯片互聯(lián)，并可擴展到200顆。

    （3）支持的拓撲結(jié)構(gòu)包含：8*8平面格柵、4*4*4三維格柵、星型（分枝數(shù)≥4）、環(huán)型等。

    （4）系統(tǒng)裁剪無需重組線纜。

    （5）支持LVDS與收發(fā)器互連組網(wǎng)，且LVDS性能≥1.4Gbps@1米，收發(fā)器性能≥16Gbps@1米。

    （6）可根據(jù)組網(wǎng)拓撲變化，快速完成組網(wǎng)自檢（≤1小時）。支持滿足條件（5）性能要求的全端口壓力測試，且7x24小時零誤碼。

    2.項目交付件：

    （1）工具軟件。

    （2）樣機用于測試,樣機含40核心（每核心8.938M系統(tǒng)邏輯單元,總計>350M系統(tǒng)邏輯單元）及組網(wǎng)。

    （3）各項測試報告。

    3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。

    4.擬資助經(jīng)費：非定額資助，資助總經(jīng)費不超過2000萬元。

    方向二：模擬（ADC）芯片的EDA仿真工具驗證和協(xié)同優(yōu)化

    電路仿真EDA工具針對模擬（ADC）芯片在設(shè)計過程中的長周期后仿電路仿真速度和高位ADC電路仿真精度問題，為芯片設(shè)計提供可靠的EDA仿真驗證環(huán)境，通過用戶的實踐反饋優(yōu)化EDA仿真工具的使用流程；同時通過不同規(guī)模的集成電路，對比和驗證仿真的速度和精度，給出相應(yīng)比較。

    通過對大規(guī)模模擬電路中各單元模塊合理化建模優(yōu)化仿真器核心算法和多事件并行處理效率，仿真出各單元模塊之間更貼近實測數(shù)據(jù)的結(jié)果，例如互相串擾，IRdrop，延時過長等定量結(jié)果，分析出各模塊之間互相影響的關(guān)鍵因素。以提前預(yù)知大規(guī)模模擬芯片中由一系列非理想因素導(dǎo)致的性能惡化問題，從而優(yōu)化模擬ADC芯片設(shè)計，提升性能，縮短設(shè)計周期。

    1.考核指標

    1)ADC芯片規(guī)模不小于1000個晶體管；

    2)仿真的測試電路包括前仿和后仿；

    3)工藝特征尺寸不大于28nm；

    4)ADC位數(shù)不小于12bit；

    5)SNR仿真精度要求不低于0.5dB。

    2.項目交付件

    1)模擬（ADC）芯片的前仿和后仿驗證報告，

    2)大規(guī)模模擬電路中各單元模塊之間串擾分析和驗證方法，

    3)Fullspice和不同配置的Fastspice仿真精度及仿真速度的比較，

    4)Fastspice的不同配置對ADC中的串擾、IRdrop、延時、電流等仿真結(jié)果分別造成的影響。

    3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。

    4.擬資助經(jīng)費：非定額資助，資助總經(jīng)費不超過500萬元。

    方向三：毫米波低功耗SOC片上無源器件設(shè)計仿真

    針對高頻、高速無源器件設(shè)計，尤其片上電感大規(guī)模設(shè)計，搭建高精度的EM仿真建模平臺，處理IC設(shè)計中無源結(jié)構(gòu)仿真分析；設(shè)計多種pcell無源器件模型（螺旋電感、巴倫、T-coil等），彌補先進工藝節(jié)點下PDK缺少或缺失pcell的問題；利用MOMsolver、智能mesh進行電磁場快速求解及最優(yōu)剖分，提升仿真速度和精度，加快設(shè)計迭代；采用full-wave仿真、考慮趨膚效應(yīng)及鄰近效應(yīng)，保證高頻仿真準確性；采用sweep功能，實現(xiàn)多溫度點、多物理尺寸條件下的仿真分析比對；利用后處理功能，一鍵式導(dǎo)出設(shè)計仿真報告，提升分析效率。

    1.考核指標

    1)片上螺旋電感感值的仿真結(jié)果與設(shè)計目標誤差<1%，

    2)Q值不小于15；

    3)電感仿真結(jié)果與其等效模型誤差<2%。

    2.項目交付件：

    1)片上螺旋電感GDS格式版圖數(shù)據(jù)、仿真S參數(shù)

    2)電特性L/Q指標驗證報告、電感的pcell模型。

    3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。

    4.擬資助經(jīng)費：非定額資助，資助總經(jīng)費不超過120萬元。

    方向四：高端GPU訓(xùn)練芯片的HBM信號完整性建模仿真

    為精確評估3DIC中HBM信號的損耗、串擾、眼圖等性能指標，需搭建3DICEM仿真建模平臺。該平臺需與3DIC設(shè)計工具無縫鏈接；支持IRCX、ICT等工藝文件，GDS設(shè)計文件導(dǎo)入，構(gòu)建精確的硅載板仿真3D模型；支持過孔合并、無功能孔填充、網(wǎng)絡(luò)自動識別等模型編輯功能；針對3DIC設(shè)計周期中的不同時間節(jié)點提供不同的Mesh劃分機制；以及針對硅載板互連傳輸線特點的EM算法引擎，從而精確對3DIC結(jié)構(gòu)進行電磁場建模仿真，合理評估互連結(jié)構(gòu)的損耗、串擾、眼圖等指標是否滿足JESD235標準。

    1.考核指標

    1)實現(xiàn)與3DIC設(shè)計工具的高度集成和無縫對接；

    2)適用于3DICHBM結(jié)構(gòu)的EM仿真算法和引擎；

    3)針對3DIC設(shè)計周期中DesignExploration、Physical

    Implementation、Sign-Off節(jié)點提供有針對性的仿真機制；

    4)HBM信號互聯(lián)結(jié)構(gòu)插入損耗、回波損耗指標精度≥90%；

    5)HBM信號互連結(jié)構(gòu)串擾指標精度≥90%。

    2.項目交付件

    1)高端GPU訓(xùn)練芯片的HBM信號完整性建模流程評估報告；

    2)仿真插回損指標、串擾噪聲、阻抗連續(xù)性波動指標評估報告；

    3)高端GPU訓(xùn)練芯片的HBM互連結(jié)構(gòu)3D模型。

    3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。

    4.經(jīng)費額度：非定額資助，資助總經(jīng)費不超過200萬元

    方向五：大型稀疏矩陣求解加速算法研究

    在EDA有限元電磁仿真引擎算法中，填充矩陣之后會生成大型稀疏矩陣，通常會達到上億*上億規(guī)模。但是，業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的pardiso和umfpack等稀疏矩陣求解數(shù)學(xué)庫多核并行求解效率低，占用內(nèi)存過大，導(dǎo)致無法滿足大規(guī)模電磁仿真需求。因此，需要一套大型稀疏矩陣壓縮或者拆分算法，可以將大型稀疏矩陣拆分成多個小型矩陣，并利用MPI技術(shù)將小型矩陣分配到多臺計算節(jié)點分布式求解，實現(xiàn)算力和內(nèi)存占用兩個維度分布式。

    1.考核指標：

    1)開發(fā)稀疏矩陣壓縮或拆分技術(shù)，將有限元填充的大型稀疏矩陣拆分成多個規(guī)模不超過1萬*1萬的小型矩陣，并且矩陣殘差控制在1e-7以內(nèi)。

    2)相比現(xiàn)有商業(yè)稀疏矩陣求解效率相比，在同樣的硬件設(shè)置下，至少有10倍的加速比。

    2.項目交付件：C++源代碼

    3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。

    4.經(jīng)費額度：非定額資助，資助總經(jīng)費不超過100萬元

    二、申報要求

    除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：

    1.項目申報單位應(yīng)當是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應(yīng)能力。

    2.研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財政資金支持的，不得重復(fù)申報。

    3.所有申報單位和項目參與人應(yīng)遵守科研倫理準則，遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實驗室生物安全管理相關(guān)規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項目負責人應(yīng)承諾所提交材料真實性，申報單位應(yīng)當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項目申請。

    4.申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。

    5.本批“揭榜掛帥”項目由市科委會同用戶單位共同組織開展受理、評審、立項、驗收等項目管理事項。采取會議評審方式對揭榜項目進行擇優(yōu)遴選，評審答辯事宜，另行通知。

    三、申報方式

    1.項目申報采用網(wǎng)上申報方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國上?！遍T戶網(wǎng)站（http://www.sh.gov.cn）--政務(wù)服務(wù)--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：

    【初次填寫】使用申報賬號登錄系統(tǒng)（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入注冊頁面進行單位注冊，然后再進行申報賬號注冊），轉(zhuǎn)入申報指南頁面，點擊相應(yīng)的指南專題后，按提示完成“上?？萍肌庇脩糍~號綁定，再進行項目申報；

    【繼續(xù)填寫】登錄已注冊申報賬號、密碼后繼續(xù)該項目的填報。

    有關(guān)操作可參閱在線幫助。

    2.項目網(wǎng)上填報起始時間為2021年9月23日9:00，截止時間（含申報單位網(wǎng)上審核提交）為2021年10月15日16:30。

    四、評審方式

    采用一輪見面會評審方式。

    五、咨詢電話

    服務(wù)熱線：021-12345、8008205114（座機）、4008205114（手機）

    上海市科學(xué)技術(shù)委員會

    2021年9月14日