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各有關(guān)單位：

    為加快構(gòu)建基礎(chǔ)研究多元化投入機(jī)制，引導(dǎo)鼓勵(lì)企業(yè)增加基礎(chǔ)研究投入，拓寬基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)化的鏈接通道，上海市科學(xué)技術(shù)委員會聯(lián)合相關(guān)企業(yè)，共同設(shè)立“探索者計(jì)劃”，現(xiàn)發(fā)布2021年度“探索者計(jì)劃”項(xiàng)目申報(bào)指南。

    一、征集范圍

    高端醫(yī)療裝備領(lǐng)域：

    專題一、醫(yī)學(xué)影像裝備基礎(chǔ)材料

    方向1、分子影像探測器用新型閃爍晶體

    研究目標(biāo)：發(fā)展新型閃爍晶體材料，提升分子影像設(shè)備成像質(zhì)量。

    研究內(nèi)容：面向分子影像探測器的醫(yī)療應(yīng)用需求，開展非潮解、高光輸出、高能量分辨率的新型閃爍晶體材料的研制，提出閃爍發(fā)光的材料設(shè)計(jì)和性能調(diào)控的新方法，促進(jìn)分子影像設(shè)備的性能提高和技術(shù)發(fā)展。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度50萬元。

    專題二、醫(yī)學(xué)影像前沿成像技術(shù)

    方向1、顱腦超聲成像技術(shù)

    研究目標(biāo)：建立超快顱腦超聲成像方法，在不損失空間分辨率的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)超快（<50秒）顱腦超聲成像。

    研究內(nèi)容：圍繞顱內(nèi)微細(xì)血管無創(chuàng)、精準(zhǔn)、超快成像需求，建立顱腦超聲成像方法，在微米尺度，實(shí)現(xiàn)對顱內(nèi)復(fù)雜微細(xì)血管的無創(chuàng)、結(jié)構(gòu)與功能成像，并探究異質(zhì)化肌骨組織超聲傳播性質(zhì)及界面聲場的耦合效應(yīng)，揭示復(fù)雜肌骨組織中的聲場分布規(guī)律。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向2、基于影像學(xué)的心腦血管疾病自動(dòng)定量分析模型

    研究目標(biāo)：探索基于影像學(xué)的心腦血管疾病自動(dòng)定量分析模型與方法，助力提高精準(zhǔn)診療水平。

    研究內(nèi)容：開展基于影像學(xué)的冠狀動(dòng)脈慢性完全閉塞病變的自動(dòng)定量分析模型研究，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)識別慢性完全閉塞病變，對閉塞段長度、鈣化、直徑、曲度和開口形態(tài)完成自動(dòng)測量、評估等。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度50萬元。

    專題三、醫(yī)學(xué)影像應(yīng)用基礎(chǔ)研究

    方向1、基于超高分辨率分子影像技術(shù)的菌群示蹤與監(jiān)測技術(shù)研究

    研究目標(biāo)：建立以超高分辨率分子影像為基礎(chǔ)的菌群示蹤與監(jiān)測技術(shù)體系，為臨床菌群移植的評估方法、評估標(biāo)準(zhǔn)提供支撐。

    研究內(nèi)容：利用全數(shù)字超高分辨率PET/CT技術(shù)，開展菌群的示蹤成像技術(shù)研究，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)示蹤菌群的動(dòng)態(tài)在體活性，并結(jié)合菌群移植治療，刻畫治療后腸道代謝的變化狀態(tài)，篩選獲得和預(yù)后相關(guān)的影像標(biāo)志物，構(gòu)建菌群治療的客觀評估體系。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度50萬元。

    方向2、基于MRI的肝癌細(xì)胞異質(zhì)性量化方法及中藥改善靶向治療的機(jī)制研究

    研究目標(biāo)：建立肝癌細(xì)胞時(shí)空異質(zhì)性的量化方法，實(shí)現(xiàn)腫瘤時(shí)空異質(zhì)性的無創(chuàng)定量評估。

    研究內(nèi)容：基于MRI和深度學(xué)習(xí)技術(shù)，研究建立預(yù)測中藥、常用靶向藥和中藥協(xié)同常用靶向藥物治療肝癌療效的預(yù)測評價(jià)方法。建立肝癌動(dòng)物模型數(shù)據(jù)庫和肝癌細(xì)胞異質(zhì)性MRI預(yù)測支持系統(tǒng)，開展中藥調(diào)控腫瘤信號通路的機(jī)制研究。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度50萬元。

    方向3、代謝相關(guān)脂肪性肝病（MAFLD）及合并疾病的磁共振定量成像研究

    研究目標(biāo)：瞄準(zhǔn)MAFLD疾病進(jìn)程中肝臟脂肪沉積-炎癥-纖維化-肝細(xì)胞損傷，建立MRI量化評估及早期預(yù)警模型。

    研究內(nèi)容：開展快速、全肝、脂肪精準(zhǔn)定量的成像新算法研究，研發(fā)MR彈性成像一體化線圈、快速成像技術(shù)及新算法，為炎癥活動(dòng)程度、纖維化分期提供技術(shù)支撐。研究建立MAFLD及合并疾病譜的無創(chuàng)性診斷、風(fēng)險(xiǎn)分層、疾病監(jiān)測的綜合模型。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向4、基于腦儲備理論模型的腦小血管病的神經(jīng)影像學(xué)機(jī)制研究

    研究目標(biāo)：從腦損傷和腦儲備角度出發(fā)，全面揭示腦小血管病的神經(jīng)影像學(xué)機(jī)制，明確腦儲備功能在疾病發(fā)生、發(fā)展中的作用和地位。

    研究內(nèi)容：研究建立基于多模態(tài)、多特征的結(jié)構(gòu)和功能網(wǎng)絡(luò)，提取并分析不少于15個(gè)多維度腦網(wǎng)絡(luò)拓?fù)鋵W(xué)特征。探索基于假設(shè)驅(qū)動(dòng)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的方法，開展腦小血管疾病智能化診斷技術(shù)基礎(chǔ)模型研究。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    集成電路領(lǐng)域：

    專題四、集成電路前瞻性研究

    方向1、全包圍環(huán)柵納米線隧穿晶體管研究

    研究目標(biāo)：基于納米線隧穿晶體管（GAATFET）特有的隧穿機(jī)制，研發(fā)可量產(chǎn)的關(guān)鍵低缺陷工藝模塊，建立晶體管集約物理模型，形成關(guān)鍵技術(shù)的自主知識產(chǎn)權(quán)。

    研究內(nèi)容：探究結(jié)構(gòu)參數(shù)、摻雜分布、陷阱等對GAATFET開態(tài)電流、亞閾值擺幅等關(guān)鍵特性的影響，求解溝道內(nèi)三維電場及電勢分布，建立GAATFET基于表面勢的IV及CV物理集約模型，獲得飽和驅(qū)動(dòng)電流和亞閾值擺幅等特性的依賴關(guān)系。基于TCAD三維工藝仿真和先進(jìn)量產(chǎn)工藝技術(shù)開發(fā)GAATFET低缺陷關(guān)鍵工藝及模塊，包括源漏摻雜、界面態(tài)技術(shù)及納米線刻蝕等，探索兼容CMOS工藝的GAATFET成套工藝流程。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向2、納米級三維器件結(jié)構(gòu)中新材料工藝的電學(xué)特性表征機(jī)理研究

    研究目標(biāo)：針對先進(jìn)CMOS技術(shù)中三維結(jié)構(gòu)對精準(zhǔn)測控High-Kmetalgate（HKMG）等新材料電學(xué)特性的需求，開發(fā)納米級分辨的局域電導(dǎo)、功函數(shù)等測量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對FinFET結(jié)構(gòu)內(nèi)部電子學(xué)特性的表征。

    研究內(nèi)容：基于電學(xué)模式掃描探針顯微方法，開發(fā)TiN/HfO等材料功函數(shù)的低噪聲測量方案，研究不同工藝條件材料功函數(shù)與器件效能的關(guān)聯(lián)機(jī)制。建立針對三維FinFET結(jié)構(gòu)的極限分辨分布電阻測量模式，在空間分辨率和測量精度兩方面滿足先進(jìn)CMOS制程中柵極和源漏材料工藝研發(fā)的要求。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向3、微納電子原子級TCAD仿真工具研究

    研究目標(biāo)：發(fā)展基于高度局域化且最小完備基組的第一性原理量子輸運(yùn)計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)高精度的大尺度器件性能模擬。

    研究內(nèi)容：研究第一性原理量子輸運(yùn)計(jì)算方法，結(jié)合先進(jìn)數(shù)值并行計(jì)算實(shí)現(xiàn)高精度的大尺度器件性能模擬。進(jìn)行高精度分子動(dòng)力學(xué)和蒙特卡洛在較大空間/時(shí)間尺度上的半導(dǎo)體工藝仿真，建立半導(dǎo)體核心工藝的高精度勢能數(shù)據(jù)庫。建立原子級半導(dǎo)體工藝和性能的TCAD仿真計(jì)算技術(shù)平臺，具有第一性原理方法計(jì)算精度。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    專題五、新型存儲器與存算一體研究

    方向1、低功耗存算一體SRAM存儲器設(shè)計(jì)

    研究目標(biāo)：探索基于SRAM的新一代低功耗存算一體存儲器架構(gòu)，提高性能功耗比，實(shí)現(xiàn)高速低功耗存儲與計(jì)算。

    研究內(nèi)容：結(jié)合FDSOI工藝超低功耗和高性能特性，研究開發(fā)基于SRAM的新一代低功耗存算一體存儲器架構(gòu)，建立人工智能算法的硬件映射方法，提升單位容量的吞吐率和MNIST數(shù)據(jù)集準(zhǔn)確率，并可應(yīng)用于多種先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)。研究開發(fā)新型存算一體SRAM存儲器，提高人工智能算法數(shù)據(jù)計(jì)算及模型訓(xùn)練速率，探索其在圖像識別與智能物聯(lián)網(wǎng)方面的應(yīng)用。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向2、面向憶阻器件與工藝亞穩(wěn)態(tài)特性的AI芯片設(shè)計(jì)方法學(xué)研究

    研究目標(biāo)：探索跨器件-架構(gòu)-算法的RRAM軟硬協(xié)同設(shè)計(jì)方法，形成基于亞穩(wěn)態(tài)器件構(gòu)建高魯棒人工智能（AI）算法的近似計(jì)算理論，解決RRAM工藝亞穩(wěn)態(tài)效應(yīng)下AI計(jì)算誤差問題。

    研究內(nèi)容：構(gòu)建RRAM器件工藝亞穩(wěn)態(tài)特性對AI計(jì)算精度的解析模型，探索基于該模型的跨層次軟硬協(xié)同方法，形成一套近似計(jì)算理論，基于該理論構(gòu)建的AI芯片具有較高的MNIST識別準(zhǔn)確率和CIFAR-10識別準(zhǔn)確率。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    專題六、先進(jìn)傳感和功率器件研究

    方向1、新原理主動(dòng)像素傳感器研究

    研究目標(biāo)：發(fā)展基于FDSOI襯底的新原理單管CMOS圖像傳感器（CIS）主動(dòng)像素單元，提高CIS量子效率和集成密度，達(dá)到國際先進(jìn)水平并可進(jìn)一步提升。

    研究內(nèi)容：基于器件物理原理，結(jié)合FDSOI襯底深耗盡及界面耦合效應(yīng)，設(shè)計(jì)具有單管結(jié)構(gòu)的高密度新型像素單元?；谙冗M(jìn)FDSOI工藝平臺開發(fā)版圖與工藝制備流程并驗(yàn)證原型器件。研究優(yōu)化其設(shè)計(jì)參數(shù)對性能的調(diào)控規(guī)律,驗(yàn)證像素尺寸、靈敏度、暗電流及阱容量等指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平并實(shí)現(xiàn)8×8小型像素陣列。研究陣列像素間的串?dāng)_受結(jié)構(gòu)參數(shù)的影響規(guī)律和改善技術(shù)。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向2、高分辨率dTOF傳感器研究

    研究目標(biāo)：探索基于SPAD陣列的dTOF傳感器設(shè)計(jì)與工藝。

    研究內(nèi)容：研究開發(fā)具有新型結(jié)構(gòu)的SPAD像素器件，優(yōu)化SPAD像素性能，提高SPAD光子探測效率，探索實(shí)現(xiàn)SPAD陣列與傳統(tǒng)邏輯電路的3D集成工藝，研發(fā)具有較高分辨率、優(yōu)異性能的dTOF整體解決方案。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向3、功率芯片能量輸運(yùn)機(jī)理和高導(dǎo)低阻熱界面材料

    研究目標(biāo)：探索跨時(shí)、空尺度耦合下的功率芯片產(chǎn)熱傳熱機(jī)理，建立描述熱、電輸運(yùn)的統(tǒng)一模型，開發(fā)新型高導(dǎo)低阻熱界面材料。

    研究內(nèi)容：研究飛秒/納秒尺度下多載流子耦合及非平衡-平衡輸運(yùn)過程對功率芯片微觀產(chǎn)熱過程的影響機(jī)制。探究高能流密度條件下跨時(shí)、空尺度能量輸運(yùn)隨尺寸、形狀、外加電壓等變化的規(guī)律。探究功率芯片中多重界面對載流子輸運(yùn)的影響規(guī)律，建立熱、電輸運(yùn)統(tǒng)一模型。開發(fā)具有優(yōu)異散熱性能的新型高導(dǎo)低阻熱界面材料。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    專題七、毫米波器件研究

    方向1、基于傳輸線理論的片上集成互連結(jié)構(gòu)與元件模型和建模方法

    研究目標(biāo)：革新射頻芯片(RFIC)原理圖和版圖設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)基于硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設(shè)計(jì)。

    研究內(nèi)容：基于65nmRFSOI或者0.18μmSiGeRF工藝，通過工藝襯底和介質(zhì)損耗模型、基于傳輸線理論的片上集成互連結(jié)構(gòu)（如微帶線、傳輸線等）、元件模型和建模方法研究，建立可參考頻率分布特性的射頻工藝互連結(jié)構(gòu)模型庫和硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設(shè)計(jì)流程，形成EDA環(huán)境下PDK一套，集成不少于10個(gè)傳輸線模型。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向2、高效率硅基毫米波通信相控陣研究

    研究目標(biāo)：探索片上相控陣高效率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，為開發(fā)硅基相控陣芯片提供支撐。

    研究內(nèi)容：基于硅基SiGe及SOI射頻工藝制程的低噪聲、低損耗、高截止頻率和高品質(zhì)無源器件等技術(shù)特點(diǎn)，進(jìn)行片上相控陣高效率拓?fù)溲芯?，開發(fā)高效率硅基毫米波通信77GHz相控陣模組。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    方向3、CMOS核心器件毫米波太赫茲建模及典型IP設(shè)計(jì)

    研究目標(biāo)：探索CMOS核心器件毫米波段輸運(yùn)機(jī)制及寄生效應(yīng)，建立毫米波太赫茲有源/無源器件模型，優(yōu)化典型IP設(shè)計(jì)。

    研究內(nèi)容：研究先進(jìn)CMOS工藝平臺核心器件在毫米波段的物理機(jī)制，分析截止頻率及最高振蕩頻率等FOM值對器件結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵物理參數(shù)的依賴關(guān)系。研究毫米波段下寄生效應(yīng)引入機(jī)制及存在形態(tài)，建立晶體管毫米波太赫茲物理模型。發(fā)展毫米波段精準(zhǔn)去嵌及測試技術(shù)和完整的模型參數(shù)提取方法，達(dá)到產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的器件擬合精度和關(guān)鍵頻點(diǎn)精度，優(yōu)化低噪聲放大器等典型IP設(shè)計(jì)。

    執(zhí)行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。

    二、申報(bào)要求

    除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：

    1.項(xiàng)目申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項(xiàng)目實(shí)施的相應(yīng)能力。

    2.研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財(cái)政資金支持的，不得重復(fù)申報(bào)。

    3.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科研倫理準(zhǔn)則，遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實(shí)驗(yàn)室生物安全管理相關(guān)規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)承諾所提交材料真實(shí)性，申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)對申請人的申請資格負(fù)責(zé)，并對申請材料的真實(shí)性和完整性進(jìn)行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項(xiàng)目申請。

    4.申報(bào)項(xiàng)目若提出回避專家申請的，須在提交項(xiàng)目可行性方案的同時(shí)，上傳由申報(bào)單位出具公函提出回避專家名單與理由。

    5.已作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)市科委科技計(jì)劃在研項(xiàng)目2項(xiàng)及以上者，不得作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人申報(bào)。

    6.項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)預(yù)算編制應(yīng)當(dāng)真實(shí)、合理，符合市科委科技計(jì)劃項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)管理的有關(guān)要求。

    7.各研究方向同一法人或非法人組織限報(bào)1項(xiàng)。

    8.申請人在申請前應(yīng)向聯(lián)合資助方了解相關(guān)項(xiàng)目的需求背景和要求。高端醫(yī)療裝備領(lǐng)域（專題1-專題3），請聯(lián)系康女士，聯(lián)系電話15000500752；集成電路領(lǐng)域（專題4-專題7），請聯(lián)系任先生，聯(lián)系電話13817606447。

    9.申請項(xiàng)目評審?fù)ㄟ^后，申請人及所在單位將收到簽訂“探索者計(jì)劃資助項(xiàng)目協(xié)議書”的通知。申請人接到通知后，應(yīng)當(dāng)及時(shí)與聯(lián)合資助方聯(lián)系，在通知規(guī)定的時(shí)間內(nèi)完成協(xié)議書簽訂工作。

    三、申報(bào)方式

    1.項(xiàng)目申報(bào)采用網(wǎng)上申報(bào)方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國上?！遍T戶網(wǎng)站（http://www.sh.gov.cn）--政務(wù)服務(wù)--點(diǎn)擊“上海市財(cái)政科技投入信息管理平臺”進(jìn)入申報(bào)頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進(jìn)入申報(bào)頁面：

    【初次填寫】使用申報(bào)賬號登錄系統(tǒng)（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入注冊頁面進(jìn)行單位注冊，然后再進(jìn)行申報(bào)賬號注冊），轉(zhuǎn)入申報(bào)指南頁面，點(diǎn)擊相應(yīng)的指南專題后，按提示完成“上?？萍肌庇脩糍~號綁定，再進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)；

    【繼續(xù)填寫】登錄已注冊申報(bào)賬號、密碼后繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。

    有關(guān)操作可參閱在線幫助。

    2.項(xiàng)目網(wǎng)上填報(bào)起始時(shí)間為2021年9月22日9:00，截止時(shí)間（含申報(bào)單位網(wǎng)上審核提交）為2021年10月14日16:30。

    三、評審方式

    采用第一輪通訊評審、第二輪見面會評審方式。

    四、立項(xiàng)公示

    上海市科委將向社會公示擬立項(xiàng)項(xiàng)目清單，接受公眾異議。

    五、咨詢電話

    服務(wù)熱線：021-12345、8008205114（座機(jī)）、4008205114（手機(jī)）

    上海市科學(xué)技術(shù)委員會

    2021年9月13日